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FDS6900AS - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FDS6900AS

Hersteller Teil #: FDS6900AS

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

Hersteller: ON Semiconductor

Beschreibung: MOSFET Dual NCh PowerTrench

Verpackung: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

FDS6900AS Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

Factory Lead Time

18 Weeks

Contact Plating

Tin

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Number of Pins

Weight

187mg

Transistor Element Material

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.9A 8.2A

Number of Elements

Turn Off Delay Time

23 ns

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

Series

PowerTrench®, SyncFET™

Published

2005

JESD-609 Code

Pbfree Code

yes

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

Termination

SMD/SMT

ECCN Code

EAR99

Resistance

27MOhm

Voltage - Rated DC

30V

Max Power Dissipation

Terminal Form

GULL WING

Peak Reflow Temperature (Cel)

NOT SPECIFIED

Current Rating

8.2A

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

NOT SPECIFIED

Qualification Status

Not Qualified

Element Configuration

Dual

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

Power - Max

900mW

FET Type

2 N-Channel (Dual)

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27m Ω @ 6.9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250μA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 15V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Rise Time

4ns

Fall Time (Typ)

3 ns

Continuous Drain Current (ID)

8.2A

Threshold Voltage

1.9V

Gate to Source Voltage (Vgs)

20V

Drain Current-Max (Abs) (ID)

6.9A

Drain to Source Breakdown Voltage

30V

Dual Supply Voltage

30V

FET Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

FET Feature

Logic Level Gate

Nominal Vgs

1.9 V

Height

1.5mm

Length

5mm

Width

3.99mm

REACH SVHC

No SVHC

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
FDS6900AS	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET Dual NCh PowerTrench
IRF8313TRPBF	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
FDS6982AS	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	ON SEMICONDUCTOR - FDS6982AS - Dual MOSFET, Dual N Channel, 8.6 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.4 V
FDS6612A	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
FDS8884	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC N T/R

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: MOSFET Dual NCh PowerTrench

Verpackung: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 32500 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 1.56894

Menge.	Stückpreis
1+:	$1.56894
10+:	$1.48013
100+:	$1.39635
500+:	$1.31731
1000+:	$1.24275

Zwischensumme: $1.56894

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